Najnowsze oferty od ekipy Polyfetu!
Pełną listę oferowanych tranzystorów LDMOS znajdziesz tutaj: zestawienie ldmos
Pełną listę oferowanych tranzystorów VDMOS znajdziesz tutaj: zestawienie vdmos
Pełną listę oferowanych tranzystorów GaN znajdziesz tutaj: zestawienie GaN
Próbki i większe ilości produktów są obecnie dostępne dla poniższych elementów:


Tranzystory Nowe produkty. LDMOS tranzystory dużej mocy, wysokiej wydajności.
Oznaczenie
elementu		 Pout W Freq Mhz Gain dB theta jc gm mho Idsat  A Ciss pf Crss pf Coss pf Die Style Pkg
LB2401 100 1000 16 0.48 7 24 110 1.8 40 1 Push-Pull LB
LR2401 175 500 16 0.48 7 24 110 1.8 40 1 Push-Pull LR

Tranzystory Nowa linia produktów. Tranzystory z azotku galu dużej mocy, wysokiej wydajności.
GaN                     24 Volt
Part No Pout W Freq Mhz Gain dB theta jc gm mho Idsat  A Ciss pf Crss pf Coss pf Die Style Pkg
GP1001 10 2500 11 5.45 0 2 2.9 0.17 6.1 1 Single Ended GP
GP2001 20 2000 11 4.2 0 2 7.4 0.56 8.5 1 Single Ended GP
GX2001 20 2000 11 4.20 0 2 7.4 0.56 8.5 1 Single Ended GP
GX4001 35 2000 11 2.40 0 12 13 1 10.7 1 Single Ended GX
GaN                     48 Volt
Part No Pout W Freq Mhz Gain dB theta jc gm mho Idsat  A Ciss pf Crss pf Coss pf Die Style Pkg
GP1441 10 2500 11 5.45 0 2 3 0.1 6.6 1 Single Ended GP
GP2441 40 2500 11 4.20 0 6 7.5 0.3 8.4 1 Single Ended GP
GX2441 50 2000 11 3.50 0 6 7.5 0.3 8.4 1 Single Ended GX
GX3441 80 2000 12 3.00 0 8 9.2 0.4 6 1 Single Ended GX
GX4441 100 2000 12 2.40 0 12 13 0.75 9.7 1 Single Ended GX
GX3442 120 2000 11 1.80 0 16 18.5 0.8 12 2 Single Ended GX


Moduły

Produkt
 Oznaczenie elementu Częstotliwość Minimalne
wzmocnienie		 Moc wyjściowa Pack-age Uwagi nt.
zastosowań		 VDD
MSCQ02
30-512 Mhz 17 dB 150W Case S   28V
MSMV01 225-1000 Mhz 16 dB 100W Case S   28V


Noty aplikacyjne

Demo Amp Częstotliwość Minimalne wzmocnienie Moc wyjściowa Pack-age VDD
PCHA120B
30-512 Mhz 18 dB 150W Pallet 28V
TB229 100-1000 Mhz 14 dB 80W Pallet 28V

 

Firma Polyfet produkuje elementy w światowej klasy fabryce płytek półprzewodnikowych. Zaawansowane techniki suchego wytrawiania i krokowego maskowania (mask steppers) zapewniają jednolitość tranzystorów w każdej partii. Dla wysokiej jakości produktów stosujemy technologię mikroskopijnych procesów. Tranzystory produkowane są poprzez implantację jonów.

Polyfet pracuje nad udoskonalaniem swoich produktów, zarówno tranzystorót Vdmos jak Ldmos. Wyższa impedancja wejściowa VDMOSów sprawia, że dopasowanie wejścia staje się łatwiejsze, szczególnie dla szerokich pasm częstotliwości. Niższe wzmocnienie VDMOSów umożliwia prostszą stabilizację układu dla niższych częstotliwości. Dzięki niższym pojemnościom pasożytniczym LDMOSy działają lepiej przy wysokich częstotliwościach, z lepszą sprawnością

Uwaga!
Nastąpiła zmiana oznaczeń tranzystorów LDMOS, zgodnie z Nowym Systemem Oznaczania Elementów Zajrzyj na stronę z tabelą zamienników i dowiedz się więcej o rozwiniętym systemie identyfikacji elementów.